新闻称三星电子调剂 1c nm DRAM 内存设计：牺牲外

IT之家 2 月 11 日新闻，韩媒 ZDNet Korea 外地时光昨日报道称，三星电子对其正在研发中的下一代 1c nm 制程 DRAM 内存停止了计划调剂，以期更快实现良率晋升。报道称，三星此前为 1c nm 内存设定了更为严厉的线宽请求，目标是增添存储密度，晋升单元晶圆的位元产出，进而树立相较竞争敌手的本钱上风。不外更低的线宽也象征着对工艺稳固性的请求更高，这对三星形成了良率方面的压力。知恋人士声称，三星电子在 2024 岁尾对 1c nm DRAM 的计划停止了变动：中心电道路宽坚持稳定，外围电道路宽的请求则被抓紧，目标是尽快让 1c nm 的良率回升至支撑年夜法则量产的程度。斟酌到 1c nm 将被用于 HBM4 内存、此前 1b nm 面对一系列良率成绩等要素，1c nm 能否能顺遂进入量产将深入影响三星电子将来数年在 DRAM 范畴的竞争力。